采用磁控濺射方法制備了Ta（10nm）／NiFe（8nm）／Cu（2。6nm）／NiFe（3。6nm）／FeMn（9nm）／Ta（10nm）自旋閥多層膜。在Cu／NiFe界面沉積適量厚度的Bi原子能夠有效地提高交換耦合場，沉積過量的Bi原子會導致交換耦合場下降。x射線光電子能譜分析結果表明：沉積在Cu／NiFe界面的Bi原子可以有效地抑制Cu原子在NiFe層表面的偏聚；當沉積過量的Bi原子時，Bi原子會進一步遷移到FeMn中，形成雜質，從而破壞了FeMn的反鐵磁性，使交換耦合場降低。
發布日期：2010-09-19 瀏覽次數：246
采用磁控濺射方法制備了Ta（10nm）／NiFe（8nm）／Cu（2。6nm）／NiFe（3。6nm）／FeMn（9nm）／Ta（10nm）自旋閥多層膜。在Cu／NiFe界面沉積適量厚度的Bi原子能夠有效地提高交換耦合場，沉積過量的Bi原子會導致交換耦合場下降。x射線光電子能譜分析結果表明：沉積在Cu／NiFe界面的Bi原子可以有效地抑制Cu原子在NiFe層表面的偏聚；當沉積過量的Bi原子時，Bi原子會進一步遷移到FeMn中，形成雜質，從而破壞了FeMn的反鐵磁性，使交換耦合場降低。
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