化學機械全局平面化過程中各種顆粒的污染十分嚴重。隨著時間增長，吸附狀態由物理吸附轉變為化學吸附最終形成鍵合。文章提出了一種優先吸附模型，是表面活性劑分子優先吸附在硅片表面，降低能量達到穩定不但可以有效控制顆粒在硅片表面的吸附狀態，對已經吸附的顆粒可以起到解吸的作用。實驗證明用表面活性劑對硅片進行處理，可以有效控制顆粒的吸附狀態，對CMP清洗有重要作用。

CMP過程中納米級顆粒在芯片表面吸附狀態控制.pdf